米ON Semiconductor社は、電力損失が小さい1200V耐圧のIGBTを発売した。同社独自の第3世代のウルトラ・フィールド・ストップ・トレンチ技術で製造した。1つのパッケージに、ファスト・リカバリー・ダイオードも搭載した。特徴は、コレクター-エミッター間の飽和電圧（VCE（sat））とトータルのスイッチング損失（Ets）の両方を低く抑えた点にある。「VCE（sat）とEtsの最適なバランスを実現できた」（同社）という。太陽光発電システム用インバーター装置や、無停電電源装置（UPS）、溶接機、モーター駆動用インバーター装置などに向ける。
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