ルネサス エレクトロニクスは、スイッチング損失とコレクター-エミッター間飽和電圧(VCE(sat))の積である性能指数(FOM:Figure Of Merit)を前世代品に比べて最大30%改善したIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)「G8Hシリーズ」を開発し、サンプル出荷を始めた。同社の第8世代に当たるIGBTで、同社独自のトレンチゲート構造を採用した点が特徴だ。このため、導通損失の原因となるコレクター-エミッター間飽和電圧を低く抑えると同時に、スイッチング損失の低減に成功した。太陽光発電用パワーコンディショナーや無停電電源システム(UPS)などに搭載するインバーター(DC-ACコンバーター)回路に向ける。
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