米Diodes社は、実装面積が5mm×4.5mmと小さい12端子V-DFN5045パッケージに封止したHブリッジ構成のパワーMOSFETモジュール「DMHC10H170SFJ」を発売した。耐圧は100Vである。nチャネル型パワーMOSFET(Q1とQ4)とpチャネル型パワーMOSFET(Q2とQ3)を2個ずつ使って構成した。ディスクリート部品を使用する場合に比べて、プリント基板上の実装面積と部品コストを削減できるという。産業用検査装置に使う超音波トランスデューサーの駆動や、通信機器の冷却ファン用直流(DC)モーターの駆動、ワイヤレス給電パッドに埋め込んだコイル(誘導性負荷)の駆動などに向ける。
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