ベンチャー企業のFLOSFIA（本社・京都市）は、耐圧531Vでオン抵抗が0.1mΩcm2と低いショットキー・バリア・ダイオード（SBD）を開発した。このオン抵抗の値は、「市販されているSiC SBDよりも低い値」（同社）である。今回の成果を基に、パワー素子としては一般的なTO-220パッケージに封止した耐圧600V品のサンプル出荷を2015年末に開始する。2018年までに量産する考えだ。
耐圧とオン抵抗の関係
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SBDの特性
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酸化ガリウムは、次世代のパワー半導体材料として開発が進むSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）よりも、高耐圧で低損失なパワー半導体素子（以下、パワー素子）を安価に作製できる可能性があるとして、注目を集めている材料である。酸化ガリウムのうち、FLOSFIAが手掛けるのは、「コランダム」と呼ばれる構造を備えた「α型」である。同社はα型酸化ガリウムを「MIST EPITAXY法」で作製する。同法は、京都大学教授の藤田静雄氏らが開発した「ミストCVD法」を基に、不純物濃度の低減技術や多層化技術といった独自技術を組み合わせたものだという。MIST EPITAXY法の特徴は、高価な真空装置が不要な点である。
