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日経エレクトロニクス 2017年9月号

Emerging Tech

Si IGBTがSiCに肉迫、素子構造や駆動法の改善で

  • 根津 禎
  • 2017/08/21 00:00
  • 1/7ページ

出典:日経エレクトロニクス、2017年9月号、pp.65-70(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

産業用インバーターや太陽光発電システムのパワーコンディショナー、自動車のインバーターといった、耐圧1200V以上を求めるような電力変換器で多用されるパワーデバイスがSi IGBTである。これまで性能の伸びしろが少ないとされたが、ここにきて、大幅な性能向上を見込める成果が次々と登場している。

 「Si IGBTの大幅な性能向上は今後見込めない」。そんなパワーデバイス業界の常識が覆ろうとしている。Si IGBTの大幅な性能改善を期待させる研究開発成果が、ここにきて次々と発表されているのだ。新たな素子構造の導入や、ゲートドライバーICによるきめ細かい制御により、電力損失を大幅に削減できるメドが立った(図1)。

図1 Si IGBTの技術革新が再び
性能向上の伸びしろが少ないとされてきたSi IGBTで、大幅な性能向上を期待できる研究開発成果の発表が相次いでいる。新たな素子構造の導入や、ゲートドライバーICによるきめ細かい制御により、電力損失を大幅に削減できる。
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