日経BP社と海外産業人材育成協会（HIDA）などは、2016年3月中旬にインド・チェンナイで、「アジアものづくりカンファレンス」を開催した。インドは、世界の開発・生産拠点を目指している。フランスRenault社・日産自動車グループの開発会社、ローム、オムロンなどが講演した。
ルノーと日産のグローバルの開発拠点であるインドRNTBCI（Renault Nissan Technology & Business Centre India）社。インドで車両を開発する意義について、同社上級副社長の橋本尚史氏は、「インド人は英語を話し海外とコミュニケーションがとりやすい、コンピューターを使う設計のスキルも高い」と述べる。
橋本氏は、日産がインドで2014年3月に発売した低価格ハッチバック車「Datsun GO」を紹介した（図1）。小型車向け「Vプラットフォーム」を使う「Micra」の設計データを生かして設計した。
図1 日産自動車の低価格車「Datsun GO」
ルノーと日産自動車が協力して設計した成果の一つ。小型車「Micra」のプラットフォームをベースに開発した。
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図2 ロームLSI商品開発本部車載戦略部部長の末永良明氏
「車載向けSiC（炭化ケイ素）モジュールの採用が世界的に始まった」
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ロームLSI商品開発本部車載戦略部部長の末永良明氏は、次世代パワーエレクトロニクスの動向について「車載SiC（炭化ケイ素）モジュールの採用が世界で進みつつある」と述べた（図2）。日本で発売されているプラグインハイブリッド車（PHEV）の急速充電用車載充電器が代表例である。PHEVは、エンジンや駆動用モーターなど多くの追加部品を搭載する必要があり、「エンジン車に比べて搭載スペースが限られる」（末永氏）のが最大の理由。SiCモジュールは、従来のSi（シリコン）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスター）モジュールに比べて、スイッチング損失を3割程度にできるため小型化できる。インドでは今後、クルマの電動化が進むと見られ、パワー半導体の需要拡大が期待できる。
