「SEMICON JAPAN 2015」での展示の様子。左から、はんだのインゴット、マスクを形成したウエハー、マスクの上からIMSによりはんだバンプを形成したウエハー、バンプを形成しマスクを除去したウエハー。
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バンプ形成部分の拡大。300㎜ウエハー上に各種ピッチのバンプを形成した。
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半導体後工程で、印刷のような技術を使ってバンプを形成できる技術「IMS」が2016年4月を目途に実用化される見込みだ。「IMS」はInjection Molded Solder（溶融はんだインジェクション法）の略称で、低コストで20μmといった狭ピッチのバンプを形成できる特徴を持つ。開発したのは、JSRと日本アイ・ビー・エム、千住金属工業の3社。300㎜ウエハーに対応する装置を開発できたとし、半導体製造工程に関する展示会「SEMICON JAPAN 2015」（2015年12月16～18日、東京ビッグサイト）で公開した。
半導体チップをインターポーザー（パッケージ基板）に実装する手法として、ワイヤーボンディングからフリップチップ実装（FC）への移行が進んでいる。微細化によるチップ面積の縮小やデータ伝送量の増加に伴うI/O数の増加に伴い、端子間隔の狭小化への要求は強い。現在は40μmの端子ピッチを実現するため、電極上に電解めっきでCuポストを作り、その上に電解めっきで、はんだのバンプを作るという方法が一般的になっている。
