説明会に登壇した三菱電機 常務執行役 半導体・デバイス事業本部長の眞田享氏
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パワーデバイス大手の三菱電機が攻めに出る。同社は2017年11月、報道機関向けにパワーデバイス事業の説明会を開催し、今後5年で同事業の売上高を約1.5倍に成長させるとぶち上げた。
具体的には、2017年度に1300億円を見込む同事業の売上高を、2022年度に2000億円にする。営業利益も伸ばす。17年度上期で約7％の営業利益率を22年度に10％にすることを狙う。
三菱電機が大きなシェアを握るのが、Si IGBT（以下、IGBT）モジュールである。中でも、制御回路や保護回路などを内蔵した「IPM（Intelligent Power Module）」と呼ばれる製品に強みを持つ。
同社の予測によれば、IGBTモジュールの世界市場規模は、2017年度で約37億米ドル。その後、年平均成長率6％ほどで伸長し、2022年度には約50億米ドルに達する（図1）。同社はIGBTを主力とするパワーデバイス事業を、このペースを上回る年平均10％で成長させるという強気のシナリオを描く。
図1 パワー半導体事業を5年で1.5倍に
三菱電機の調べによれば、IGBTモジュールの世界市場規模は、2017年度で約37億米ドル。その後、年平均成長率6％ほどで伸長し、2022年度には約50億米ドルに達すると見込む（a）。これを上回るペース（10％）でパワーデバイス事業を成長させて、売上高を2017年度の1300億円から、2022年度に2000億円にすることを目標に掲げる（b）。（図：三菱電機の資料を基に本誌が作成）
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