TSMCのWilly Chen氏（Deputy Director, Design & Technology Platform）
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半導体の微細先端プロセスをめぐる先陣争いが過熱してきた。2017年6月18～22日に米国オースチンで開催された電子設計技術に関する国際会議/展示会「54th Design Automation Conference（DAC 2017）」では、半導体の受託製造（ファウンドリー）事業で世界最大手の台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）と、ファウンドリー事業をメモリー事業やシステムLSIと同格の注力事業に引き上げた韓国Samsung Electronics社が激しい火花を散らした。
7nmは2017年に15件設計完了
TSMCは、7nm FinFET（N7）プロセスのビジネス状況や設計フローに関して発表した。登壇したのは、昨年および一昨年と同じくWilly Chen氏（Deputy Director, Design & Technology Platform）である。
同氏は10nm FinFET（N10）の量産がFab 12およびFab 15（共に台湾にあるGIGA FAB）で始まったことを述べた後で、7nm FinFETの最新状況について説明。2016年のプレゼンではN7で20件以上の契約を結んだとしていたが、今回は、契約数は30件以上になり、15件が2017年中にテープアウト（設計完了）すると述べた。リスク量産は2017年第2四半期中に開始するとした。これまでTSMCの先端プロセスは主にスマートフォン向けSoCがターゲットだったが、N7ではスマホと並び高速コンピューティングもメインターゲットとする。
