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日経エレクトロニクス 2015年12月号

貼り合わせで限界を超える

貼って剥がす技術、組み合わせが威力を発揮

  • 野澤 哲生
  • 2015/11/19 00:00
  • 1/3ページ

出典:日経エレクトロニクス、2015年12月号、pp.52-53(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

 次世代貼り合わせ技術とは、ウエハーまたは半導体チップの種類を問わず、常温または200℃以下の低温で貼り合わせたり、逆に剥離(はくり)したりすることで、非常に高い性能や低コストのデバイスを製造する技術である。要素技術としては必ずしも新しくないが、それらの組み合わせが新しい応用を生みつつある。

拡散接合から転換

 エレクトロニクスにおける接合技術は、はんだが中心となる時代が長い間続いた(図A-1)。微細化技術が進み、はんだでは対応が難しくなってきたことで利用が広がったのが、バンプを用いるフリップチップ実装や陽極接合などである。

図A-1 半導体を接合する技術に脚光
エレクトロニクスにおける主な接合技術の分類の例を示した。実際には、接合する材料や表面の平坦さによってSABなどでも加圧が必要になるケースもある。
[画像のクリックで拡大表示]

 これらはいずれも「拡散接合」と呼ばれる技術に属する。拡散接合では、接合表面の微細な凹凸や欠陥に互いの原子が入り込むことで接合強度を得ている。多くの場合、高い温度または高い圧力の印加を必要とする。

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