連載
パワーデバイス、世界競争
大手ファウンドリーや中国企業が続々参入
目次
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最大手ファウンドリーが参戦、水平分業で低価格化が加速
これまで垂直統合の事業形態が一般的だったGaNパワーデバイス業界。ここにきて水平分業化の波が押し寄せている。アナログ半導体のファブレスメーカーが同デバイスを製品化し、それを大手ファウンドリーが製造する構図が一般的になっていきそうだ。水平分業の進展によって、GaN パワーデバイスの低価格化が加速する。日経エレクトロニクス
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カスタム品から汎用品へ、パワー半導体が安く身近に
電力の制御や供給などを担うパワーデバイス。このうち、今後高い市場成長が見込める、IGBTやSiC、GaNといった耐圧600V以上の高耐圧パワーデバイス業界にM&Aや水平分業化の波が押し寄せている。この動きの先にあるのは汎用化の進展だ。これまで「高嶺の花」だった高耐圧パワーデバイスが、より安価…日経エレクトロニクス
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ダイオード集積で低コスト化、モジュールは汎用性を競う
高耐圧パワーデバイスで現在主流のIGBT。産業機器から自動車、再生可能エネルギー向け電力変換器で幅広く利用されている。今後も主役であり続けるために、パワーデバイス・メーカーはIGBTチップのコスト削減と、IGBTモジュールの使い勝手向上にまい進している。日経エレクトロニクス
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閉塞感の打破に向けて、車載目指し大口径化を推進
Siパワーデバイスに比べて、大幅な電力損失の低減が可能なSiCパワーデバイス。以前よりも安価になり、採用が広がりつつある。だが、それでもまだ高価で、普及しているとは言い難い。電気自動車の駆動部への採用や生産性の向上などでこの状況を打破しようと動き出している。日経エレクトロニクス