「2年後に実用化」と言われ続けたEUV。今度こそ実用化と見られている根拠は、EUV光源開発におけるブレークスルーだ。実用化への大きな壁だった光源の出力が大幅に高まった。まだ課題は残り、当面は既存技術との混在が避けられない。それでも導入のメリットが大きく、利用者側の期待も高い。
「今度こそEUVリソグラフィーは実用化される」─。元東芝 研究開発統括部 研究開発戦略室長で現在は高感度レジスト材料などを開発する、先端ナノプロセス基盤開発センター（EIDEC） 代表取締役社長の石内秀美氏は、EUVの実用化見通しをこう語る。
EUVには、露光装置を開発するオランダASML社が2007年ごろから「2年後には実用化できる」と言い続けてきた過去がある。それでもEIDECの石内氏は、今回はこれまでとは違うとみる。
「DAC登壇後は後に引けない」
その根拠は、大きく3つある。（1）2017年6月に開催された半導体設計関連の国際会議「Design Automation Conference（DAC）」の関連イベントで台湾TSMCや韓国Samsung Electronics社らからEUV関連の発表が相次いだこと、（2）EUVリソグラフィー装置を開発するASML社の装置の生産性が大きく向上していること、（3）実用化の最大のネックだったEUV光源の技術にブレークスルーがあり、出力が大幅に向上したこと、の3つだ。
（1）は、EUVの技術開発がこれまでとは異なるフェーズに移ったことの証しだという。「DACはCAD技術者が多く集まる会議。講演しても量産するとは限らない半導体デバイスの学会「IEDM†」と違って、DACで登壇することは量産することが前提。DACで話した以上、後には引けない」（石内氏）。
（2）について、ASML社は量産を想定した初のEUV露光装置を2017年後半に出荷する計画だ。同社はこの装置で、これまで実用化が可能になるスループットの最低ラインとされてきた85ウエハー/時を超えて100ウエハー超/時を実現できる見通しだとする（図1）。約3年前の2014年初頭の約10ウエハー/時から約10倍になったわけだ。そして、その生産性向上を支えるのが、（3）のEUV光源の出力が急速に向上してきたことである（図2）。
