-
第1部:最新動向
15nmで足踏みの微細化、EUVに救世主の期待 -
第2部:ここまで来たEUV
光源の開発にブレークスルー、当面はArF液浸と共存 - 素子構造の革新も具体化、システム全体の最適化が必須に
-
第3部:EUV対抗のダークホース
実用化間近のナノインプリント、2019年にも3D NAND量産
特集
ムーアの法則、EUVで再起動へ
目次
-
15nmで足踏みの微細化、EUVに救世主の期待
空前の好景気に沸く半導体業界だが、製造技術の進化は停滞し将来展望を見失っていた。ごく最近になって、10年以上も期待されていたEUVリソグラフィーの量産化に現実味が出てきたことで、各半導体メーカーが、一斉に微細化のロードマップを更新した。ムーアの法則が少なくとも今後10数年、“1.4nm世代”まで続く…日経エレクトロニクス
-
光源の開発にブレークスルー、当面はArF液浸と共存
「2年後に実用化」と言われ続けたEUV。今度こそ実用化と見られている根拠は、EUV光源開発におけるブレークスルーだ。実用化への大きな壁だった光源の出力が大幅に高まった。まだ課題は残り、当面は既存技術との混在が避けられない。それでも導入のメリットが大きく、利用者側の期待も高い。日経エレクトロニクス
-
素子構造の革新も具体化、システム全体の最適化が必須に
停滞していた微細化がEUVで再開する可能性が出てきたが、ひとたび始まったトランジスタ構造やSoC(System on Chip)の革新に向けた動きは鈍るどころかむしろ加速していきそうだ。日経エレクトロニクス
-
実用化間近のナノインプリント、2019年にも3D NAND量産
EUV対抗のダークホースとして技術革新が急速に進んでいるのが、ナノインプリントリソグラフィー(NIL)だ。2017年7月にはついに東芝メモリの四日市工場に製造装置が1台納入され、研究開発段階から量産検討段階になった。早ければ2019年後半にも3D NANDフラッシュメモリーの量産に用いられる可能性が…日経エレクトロニクス