中央大学 理工学部 教授の竹内健氏の研究グループは、3次元(3D)NANDフラッシュメモリーのさらなる大容量化を可能にする技術を開発した。大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリーではシリコン基板に対して垂直方向への電荷の移動がメモリーセルの信頼性を劣化させることを明らかにし、その改善手法として、電荷移動を抑制する「Vth Nearing」を提案した。この手法を用いることにより、データ保持中のメモリーのエラーを40%削減し、メモリーのデータ保持時間を2.8倍に延ばすことに成功した。
3D NAND特有の問題を見出す
2次元(2D)のNANDフラッシュメモリーが微細化の限界を迎え、メモリーセルを3次元的に積層する3D NANDフラッシュメモリーによるさらなるメモリーの大容量化が推進されている(図1)。