中央大学 理工学部 教授の竹内健氏の研究グループは、3次元（3D）NANDフラッシュメモリーのさらなる大容量化を可能にする技術を開発した。大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリーではシリコン基板に対して垂直方向への電荷の移動がメモリーセルの信頼性を劣化させることを明らかにし、その改善手法として、電荷移動を抑制する「Vth Nearing」を提案した。この手法を用いることにより、データ保持中のメモリーのエラーを40％削減し、メモリーのデータ保持時間を2.8倍に延ばすことに成功した。
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