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HOMEエレクトロニクス電子デバイスニュース・トレンド解説 > SiC MOSFETの抵抗要因に「常識」を覆す新事実

ニュース・トレンド解説

SiC MOSFETの抵抗要因に「常識」を覆す新事実

三菱電機と東京大学がIEDM 2017で発表

  • 根津 禎
  • 2017/12/12 19:58
  • 1/3ページ

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