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HOMEエレクトロニクスニュース・トレンド解説 > ルネサスのFinFETマイコンへの道、フラッシュが1600万倍に

ニュース・トレンド解説

ルネサスのFinFETマイコンへの道、フラッシュが1600万倍に

  • 小島 郁太郎
  • 2017/12/06 08:00
  • 1/2ページ

 ルネサス エレクトロニクスは、14nm/16nm FinFETプロセスで作るIC埋め込み型フラッシュメモリーの開発で、大きな1歩を進めた(ニュースリリース)。同社はこのフラッシュメモリーを集積する車載マイコンを2023年頃に実用化する予定である。

ルネサスのSG-MONOS型フラッシュ・メモリー混載マイコンの軌跡。同社のスライド。
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 同社は、昨年、14nm/16nm FinFETプロセスで作るIC埋め込み型フラッシュメモリーのメモリーセルの試作に成功し、IEDM 2016(International Electron Device Meeting 2016)で発表している(関連記事)。昨年はSG-MONOS型フラッシュ・メモリー・セル1個の試作に成功したが、今回は1600万個のメモリーセル(2Mバイトに相当)からなるアレーの試作を成功させた。同社は100Mバイトを超える容量のフラッシュメモリーを、実用化予定の車載マイコンに集積する計画である。「今回、1600万倍に増やしたことを考えると、次に50倍(2M→100M)に容量を増すことはそれほど難しくない」(同社)とした。

1600万個のメモリーセルからなる2Mバイト相当のアレーを試作。ルネサスのスライド。
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