ルネサス エレクトロニクスは、14nm/16nm FinFETプロセスで作るIC埋め込み型フラッシュメモリーの開発で、大きな1歩を進めた（ニュースリリース）。同社はこのフラッシュメモリーを集積する車載マイコンを2023年頃に実用化する予定である。
ルネサスのSG-MONOS型フラッシュ・メモリー混載マイコンの軌跡。同社のスライド。
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同社は、昨年、14nm/16nm FinFETプロセスで作るIC埋め込み型フラッシュメモリーのメモリーセルの試作に成功し、IEDM 2016（International Electron Device Meeting 2016）で発表している（関連記事）。昨年はSG-MONOS型フラッシュ・メモリー・セル1個の試作に成功したが、今回は1600万個のメモリーセル（2Mバイトに相当）からなるアレーの試作を成功させた。同社は100Mバイトを超える容量のフラッシュメモリーを、実用化予定の車載マイコンに集積する計画である。「今回、1600万倍に増やしたことを考えると、次に50倍（2M→100M）に容量を増すことはそれほど難しくない」（同社）とした。
1600万個のメモリーセルからなる2Mバイト相当のアレーを試作。ルネサスのスライド。
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