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HOMEエネルギーパワーエレクトロニクスニュース・トレンド解説 > デンソー、次世代パワー半導体「酸化ガリウム」をクルマへ

ニュース・トレンド解説

デンソー、次世代パワー半導体「酸化ガリウム」をクルマへ

京大発ベンチャーに出資、2025年ごろの実用化を狙う

  • 根津 禎
  • 2018/01/04 18:20
  • 1/4ページ
デンソーの発表資料
デンソーの発表資料
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 デンソーは、京都大学発のベンチャー企業のFLOSFIA(本社・京都府)と、酸化ガリウム(Ga2O3)を利用したパワーデバイスの車載応用に向けた共同開発を開始する(発表資料)。電動車両の駆動用モーターを制御するインバーターなどを備えたパワーコントロールユニット(PCU)への適用を狙う。

 酸化ガリウムはパワーデバイス分野において、シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に並ぶ、「第3の次世代材料」として注目を集めている。パワーデバイス材料として一般的なSiよりも低損失なシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりもバンドギャップが広いことから、さらに損失が小さく、耐圧が高いパワーデバイスを安価に実現できる可能性がある。

 Ga2O3は数種類の結晶構造があり、このうちFLOSFIAが手掛けるのが、「コランダム(綱玉)」と呼ばれる結晶構造を備えた「α型」である。α型は、Ga2O3の中で一般的な「β型」よりもバンドギャップが広い。FLOSFIAは、「ミストCVD法」でα型Ga2O3を成膜する。ミストCVD法では、原料の入った溶液を超音波振動で「霧状」にして基板に吹き付け、基板上に薄膜を形成する。このとき、大気圧の状態で成膜できるので、真空にする必要がない。真空にする装備を省けるので、製造装置を安価にしやすく、製造コストを削減できる。同社のミストCVD法は、京都大学 大学院 工学研究科 教授の藤田静雄氏らのグループの成果が基になっている(FLOSFIAの詳細はこちらの記事を参照)。

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