IGBTは一般に、オン電圧の低減とターンオフ損失の削減はトレードオフの関係にある(図10)。これまでIGBTでは、前回紹介した「サイドゲート構造」やコレクタ側の注入構造の改良、IGBTチップの厚さを耐電圧(定格電圧)の限界まで薄くすることで、このトレードオフを改善してきた。だが、これらの方法だけでは、トレードオフ改善に限界が見えつつある。
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