光集積回路（PIC）技術を用いて複数の送信・受光素子及び光フィルタを1チップに集積することにより、レンズやアイソレータの数とファイバアセンブリ回数を削減することができる。したがって、PICの大規模化は光送受信素子の大幅な低コスト化を実現する技術として期待されている。Siフォトニクス技術はSi-LSI作製技術を用いて光デバイスを作製することから大規模PICのプラットホームとして期待されており、光パッシブ回路、マッハツェンダ光変調器、更にゲルマニウム受光素子などがSOI（Silicon on Insulator）基板(用語)を用いて作製されている。しかしながら、レーザ集積に関しては化合物半導体の異種材料集積が必要で長年の課題である。
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