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HOMEエネルギーパワーエレクトロニクスIEDM 2016 > GaN基板利用でGaNパワー素子のFOMを1/3に

IEDM 2016

GaN基板利用でGaNパワー素子のFOMを1/3に

パナソニックが試作

  • 根津 禎
  • 2016/12/08 01:46
  • 1/1ページ
 パナソニックは、GaN基板を利用したGaNパワートランジスタ(「GIT」)を試作し、「IEDM 2016」で発表した(講演番号:10.3)。同社が既に製品化しているような従来のSi基板品に比べて、オン抵抗(Ron)を2/3に、出力電荷量(Qoss)を約半分にした。この結果、オン抵抗と出力電荷量の積である、ターンオフスイッチングに向けた「FOM(figure of merit)」を約1/3にし、高速なターンオフを可能にした。

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