パナソニックは、耐圧1.7kVでオン抵抗が1.0mΩcm2と低いGaNパワートランジスタを試作し、「IEDM 2016」で発表した。このオン抵抗は、同耐圧のSiC MOSFETに比べて、「低い」(発表者)値である。オン抵抗が小さい分、導通時の損失を低減できる。しきい値電圧は+2.5Vで、ノーマリーオフ動作が可能である。GaN基板上に作製した、いわゆる縦型の素子である。
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