富士電機は、口径150mm（6インチ）のSiC基板を利用して、トレンチ型のSiC MOSFETを開発した。まずは「社内需要」（同社のパワーモジュール）向けで利用する考えで、同MOSFETを採用したパワーモジュールを2017年中に実用化する予定である。「PCIM Europe 2017」に併設されたカンファレンスでは、トレンチ型MOSFETの特性や、同MOSFETを採用した、いわゆる「フルSiC」のパワーモジュールを試作した成果を発表した。
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