Intel社が開いた「Intel Technology and Manufacturing Day」では、新たに発表した低電力22nm FinFETプロセス「22FFL」の詳細を、Intel Senior FellowのMark Bohr氏が紹介する講演もあった(同氏のプレゼン資料関連記事)。同プロセスの超低リークトランジスタを使うと、既存の22nmプロセスと比べてリーク電力を1/100にできるとし、低消費電力を求めるIoT機器やモバイル機器向けを狙う(図1)。ファウンドリー事業と自社製品の製造の両方に使い、2017年第4四半期に量産可能になる計画。同様な市場に向けた製造プロセスには、米GLOBALFOUNDRIES社の22nm FDSOIプロセス「22FDX」(関連記事)などがあり、これらに対抗する狙いと見られる。

図1 IoTやモバイル機器に向ける
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図1 IoTやモバイル機器に向ける
(画像:Intel社)

 今回のプロセスは、Intel社がこれまで実用化してきた22nmと14nmの2世代にわたるFinFET技術の知見を活かして開発したという(図2)。さまざまな製品に利用できるように、高速トランジスタや超低リークトランジスタ、高電圧I/0トランジスタなど幅広いデバイスを用意する(図3)。

図2 既存のFinFETプロセスの知見を生かす
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図2 既存のFinFETプロセスの知見を生かす
(画像:Intel社)
図3 幅広いデバイスを用意
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図3 幅広いデバイスを用意
(画像:Intel社)