「当社では、ムーアの法則は今でも健在」「他社の10nm世代のトランジスタ密度は、当社の14nm世代と同等。我々の10nm世代は世界で最も高密度なプロセス技術になる」－－。米Intel社は、2017年3月28日（現地時間）に米国サンフランシスコで同社の最新製造技術を紹介するイベント「Intel Technology and Manufacturing Day」を開催した。IoT機器などに向けた低電力22nm FinFETプロセス「22FFL」を発表したほか、2017年後半に量産開始予定の10nmプロセスで用いる技術を明らかにした。競合するファウンドリー企業が7nm世代の技術を学会発表するなど、最先端プロセス技術の開発で他社に後れをとったかに見える状況に対して、依然として自社技術が最先端を走っていると繰り返し強調した（関連記事1、関連記事2）。

図1　Intel社のStacy Smith氏
図1　Intel社のStacy Smith氏
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