ISSCC 2017のメモリー分野では、不揮発メモリーで、64層プロセスを使った3次元(3D)NANDで512Gビットチップを2社が発表したり、初のギガビット級STT-MRAMが登場して大きな注目を集めた。SRAMは昨年の10nmから微細化が進み、7nm FinFET用いたチップがこれも2社から発表された。DRAMではGDDR5XやLPDDR4Xなど高速インターフェースに関する発表が参加者の関心を集めた。
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