NAND型フラッシュメモリーがHDDを駆逐するかという命題では、莫大な需要に応えるNANDフラッシュの生産体制と同時に、NANDフラッシュの技術が今後も進化し続けることが重要になる。暗黙に、NANDフラッシュは今後も進化し続けると思い込んでいるが、本当だろうか。

　今回は、慶応義塾大学の田口眞男氏が、NANDフラッシュ技術の方向性を再検討し、今後もビットコストの低減が進むのか検証した。Mooreの法則の継続が危ぶまれていても、それを補う3次元構造の効果を信じる向きもあるが、これについても考察する。（記事構成は伊藤元昭）

田口 眞男（たぐち まさお）
慶應義塾大学 訪問教授
1976年に富士通研究所に入社とともに半導体デバイスの研究に従事、特に新型DRAMセルの開発でフィン型のキャパシタ、改良トレンチ型セルの開発など業界で先駆的な役割を果した。1988年から富士通で先端DRAMの開発・設計に従事。高速入出力回路や電源回路などアナログ系の回路を手掛ける。DDR DRAMのインターフェース標準仕様であるSSTLの推進者であり、命名者でもある。2003年、富士通・AMDによる合弁会社FASL LLCのChief Scientistとなり米国開発チームを率いてReRAM（抵抗変化型メモリー）技術の開発に従事。2007年からSpansion Japan代表取締役社長、2009年には会社更生のため経営者管財人を拝受。エルピーダメモリ技術顧問を経て2011年10月より慶應義塾大学特任教授、2016年4月からは同大学 訪問教授と共に、技術開発とコンサルティングを請け負うMTElectroResearchを主宰。
【質問１】オールフラッシュ化が進むことで、HDDは駆逐されるのでしょうか。
【回答】 HDDが駆逐されることはないだろう
【質問２】オールフラッシュ化では、どのような強みを持つ企業が商機をつかむのでしょうか。
【回答】 FinTechを駆使する企業
【質問３】オールフラッシュ化の急進展は、半導体ユーザーにどのように影響しますか。
【回答】格差拡大が進む