Intel社とMicron Technology社が発表した、新型メモリー技術「3D XPoint Technology」の将来性とその登場による波及効果を考えるための視点抽出を目的としているテクノ大喜利。今回の回答者は、慶應義塾大学の田口眞男氏である。メモリー設計者として、数々の実績を上げてきたエンジニアだけが持つ深い知識と明快な視点から、技術的に見た3D XPointの潜在能力と応用の可能性について考察して頂いた。(記事構成は伊藤元昭)
慶應義塾大学 特任教授
1976年に富士通研究所に入社とともに半導体デバイスの研究に従事、特に新型DRAMセルの開発でフィン型のキャパシタ、改良トレンチ型セルの開発など業界で先駆的な役割を果した。1988年から富士通で先端DRAMの開発・設計に従事。高速入出力回路や電源回路などアナログ系の回路を手掛ける。DDR DRAMのインターフェース標準仕様であるSSTLの推進者であり、命名者でもある。2003年、富士通・AMDによる合弁会社FASL LLCのChief Scientistとなり米国開発チームを率いてReRAM(抵抗変化型メモリー)技術の開発に従事。2007年からSpansion Japan代表取締役社長、2009年には会社更生のため経営者管財人を拝受。エルピーダメモリ技術顧問を経て2011年10月より慶應義塾大学特任教授。
【質問1の回答】無いと思う
多々考えさせられる3D XPointに関するIntel社の発表(Intel社のニュースリリース)である。ひょっとしたら半導体産業の新潮流が垣間見えたのかもしれない。その点では重要だが、メモリーメーカーに限れば、その勢力図に影響があるとは考えない。その理由を以下に説明する。