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HOMEスキルアップパワーデバイスを安心・安全に使う勘所 > ダイヤモンドMOSFETの可能性を開く、次は縦型で高耐圧化

パワーデバイスを安心・安全に使う勘所

ダイヤモンドMOSFETの可能性を開く、次は縦型で高耐圧化

金沢大学 徳田規夫准教授に「ダイヤモンドとパワーデバイス」について聞く【後編】

  • パワーデバイス・イネーブリング協会
  • 2017/11/28 05:00
  • 1/1ページ
次世代パワーデバイスの開発が盛り上がりを見せる中で、次々世代候補との呼び声が高いダイヤモンドの研究開発が活発化している。「究極の半導体材料」ともいわれるダイヤモンドはSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)といった次世代パワーデバイス半導体材料よりもバンドギャップが大きく、移動度や絶縁破壊電界そして熱伝導率などあらゆる物性で優れており、注目度も年々高まっている。

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