今回の本コラムでは、パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体テスト技術者検定」の過去問題を紹介する（本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら）。

　半導体テスト技術者検定問題の16問目として出題するのは、2016年7月に実施された第3回半導体テスト技術者検定から、MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）に関する問題。MOSFETは大規模集積回路に用いられるトランジスタで、今日のCMOS集積回路の隆盛の基礎となったものである。

　今回の問題の難易度は★★（本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい）。標準よりやや優しいレベルの問題であり、よく考えて確実に正解してほしい。

【問題16】難易度：★★

　MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）のゲート・ソース間に、しきい値電圧以上の電圧を印加すると、ゲート直下の半導体の表面に反転層が生成されるが、これを何と呼ぶか。以下の中から選びなさい。

(1)　ドレイン

(2)　キャリア

(3)　チャネル

(4)　バイポーラ