今回のコラムは、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定2級(パワーデバイス)」の予想問題を紹介する(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら)。

 本稿で紹介するのは、半導体技術者検定2級(パワーデバイス)に関する問題の中から、パワーMOSFETのフラットバンド電圧である。フラットバンド電圧はパワーMOSFETのしきい値電圧を決定するのに基本となる非常に重要なパラメーターである。検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。

 今回の問題の難易度は、★★★である(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。これは標準レベルの問題である。

問題 難易度:★★★

次の文章の空欄( )に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。

 MOSFETのフラットバンド電圧は、(ア)のフェルミ電位から(イ)のフェルミ電位を引いた仕事関数差から実効界面電荷密度を単位面積当たりのゲート酸化膜容量で割った電圧を(ウ)ものである。実効界面電荷密度が一定であるとした場合、ゲート酸化膜厚が薄くなるほど実効界面電荷のフラットバンド電圧への影響は(エ)なる。


  • (1)ア:基板  イ:ゲート ウ:加えた エ:強く
  • (2)ア:ゲート イ:基板  ウ:引いた エ:弱く
  • (3)ア:基板  イ:ゲート ウ:引いた エ:強く
  • (4)ア:ゲート イ:基板  ウ:加えた エ:弱く
  • (注)ゲート酸化膜中の電荷および界面準位による電荷は実効界面電荷に含める。