今回の本コラムでは、パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体テスト技術者検定」の過去問題を紹介する（本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら、半導体テスト技術者検定の教科書についてはこちら、検定の問題集についてはこちら）。

　本稿で紹介するのは、SRAM（Static Random Access Memory）の「リードサイクル」である。LSIに搭載されるメモリーとして、SRAMは一般的に使われている。リードサイクルは、SRAMの格納データにアクセスするための基本サイクルの1つである。

　今回の問題を検定で出題したところ、正答率は48％だった。問題の難易度は★★★★であり、本コラムで紹介する過去問題としては久しぶりの“難問”である（本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい）。問題をよく読んで、じっくりと考えてほしい。

【問題10】難易度：★★★★

次の中から、SRAMのリードサイクルに関して正しい記述を選びなさい。

(1)　/CS（チップセレクト）信号がHighレベルの間に入力されたアドレス値によって、メモリーセルが選択される。

(2)　/CS（チップセレクト）信号をHighレベルにしたままの状態で、/OE（アウトプットイネーブル）信号をLowレベルにし、かつ/WE（ライトイネーブル）信号をHighレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。

(3)　/CS（チップセレクト）信号をLowレベルにしたままの状態で、/OE（アウトプットイネーブル）信号をLowレベルにし、かつ/WE（ライトイネーブル）信号をHighレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。

(4)　/CS（チップセレクト）信号をLowレベルにしたままの状態で、/OE（アウトプットイネーブル）信号をLowレベルにし、かつ/WE（ライトイネーブル）信号をLowレベルの状態にすることにより、I/Oピンからデータを読み出すことができる。