今回もパワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体テスト技術者検定」の過去問題を紹介する（本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら）。

　今回紹介するのは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。これは代表的なパワーデバイスの1つで、主としてインバータ用途で広く用いられている。デジタルカメラ、エアコン、冷蔵庫など身近な製品にも組み込まれており、あまり目にすることはないが普段の生活の様々な場面でお世話になっているデバイスである。

　今回の問題の難易度は★★（本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい）。分かりそうでうっかりすると間違えてしまうというレベルかもしれない。問題をよく読んでしっかりと考えてほしい。

【問題8】難易度：★★

　次の文章を読んで（　）内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)～(4)の中から選びなさい。

(　ア　)は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのことである。(　ア　)は、PNPバイポーラトランジスタのゲート部に(　イ　)を組み込んだものである。そのメリットは、バイポーラトランジスタの低い(　ウ　)と、(　イ　)のゲート電圧駆動である。

(1) ア：IGBT　　　　　 イ：MOSFET　　 ウ：オン抵抗

(2) ア：パワーMOSFET イ：ダイオード　　 ウ：オフ抵抗

(3) ア：パワーMOSFET イ：MOSFET　　 ウ：オン抵抗

(4) ア：IGBT　　　　　 イ：ダイオード　 ウ：オフ抵抗