今回もパワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）が主催する「半導体テスト技術者検定」の問題を紹介する。今回は久しぶりに新作問題である（本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら）。

　今回紹介するのはマーチングテストに関する問題。マーチングテストはメモリーの代表的なテスト項目の1つであり、その他の代表的なテスト項目にはウォーキングテストやギャロッピングテストもある。メモリーアレーに描かれる0/1のパターンをイメージしているが、なかなか面白いネーミングである。

　今回の問題の難易度は★★★（本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数（難易度に応じて1～5個）で表しており、★の数が多いほど難しい）。この問題を正解できると合格の可能性がぐっと高まる。最後の解説までじっくり読んで参考にしていただきたい。

【問題7】難易度：★★★

　次の文章を読んで（　）内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)～(4)の中から選びなさい。

　メモリーをテストするマーチングテスト（MARCH C）では次の操作を実行する。

(S1) 全メモリーセルに0を書き込む。
(S2) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから0を読み出し、1を書き込む。
(S3) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから1を読み出し、0を書き込む。
(S4) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。
(S5) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(2)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S6) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(3)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S7) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。

従って、アドレス数をNとすると、「0読み出し」、「1読み出し」、「0書き込み」、「1書き込み」の回数は、それぞれ、（　ア　）、（　イ　）、（　ウ　）、（　エ　）となる。

　　(1)　　ア：2N　　イ：2N　　ウ：2N　　エ：2N

　　(2)　　ア：4N　　イ：2N　　ウ：3N　　エ：2N

　　(3)　　ア：3N　　イ：3N　　ウ：2N　　エ：2N

　　(4)　　ア：4N　　イ：3N　　ウ：2N　　エ：3N