今回もパワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定」の問題を紹介する。今回は久しぶりに新作問題である(本コラムの詳細はこちら、PDEAについてはこちら)。
今回紹介するのはマーチングテストに関する問題。マーチングテストはメモリーの代表的なテスト項目の1つであり、その他の代表的なテスト項目にはウォーキングテストやギャロッピングテストもある。メモリーアレーに描かれる0/1のパターンをイメージしているが、なかなか面白いネーミングである。
今回の問題の難易度は★★★(本コラムでは紹介する問題の難易度を★の数(難易度に応じて1~5個)で表しており、★の数が多いほど難しい)。この問題を正解できると合格の可能性がぐっと高まる。最後の解説までじっくり読んで参考にしていただきたい。
【問題7】難易度:★★★
次の文章を読んで( )内に入る正しい言葉の組み合わせを(1)~(4)の中から選びなさい。
メモリーをテストするマーチングテスト(MARCH C)では次の操作を実行する。
(S1) 全メモリーセルに0を書き込む。
(S2) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから0を読み出し、1を書き込む。
(S3) アドレス#0から昇順にアドレスを変化させ、選択したメモリーセルから1を読み出し、0を書き込む。
(S4) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。
(S5) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(2)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S6) 最終アドレスから降順にアドレスを変化させ、操作(3)と同様にメモリーセルを読み書きする。
(S7) 全メモリーセルから書き込まれた値を読み出す。
従って、アドレス数をNとすると、「0読み出し」、「1読み出し」、「0書き込み」、「1書き込み」の回数は、それぞれ、( ア )、( イ )、( ウ )、( エ )となる。
(1) ア:2N イ:2N ウ:2N エ:2N
(2) ア:4N イ:2N ウ:3N エ:2N
(3) ア:3N イ:3N ウ:2N エ:2N
(4) ア:4N イ:3N ウ:2N エ:3N