今回も本コラムにて1/12に公開した記事と同じく、パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)が主催する「半導体テスト技術者検定」の過去問題を紹介する。今回紹介するのは、LSIの劣化の一因となるホットキャリアである。LSIの劣化の要因としては、ホットキャリア注入(HCI:Hot Carrier Injection)に加えて、NBTI/PBTI(Negative/Positive Bias Temperature Instability)、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)、エレクトロマイグレーション(EM:Electromigration)、ストレスマイグレーション(SM:Stress Migration)などがある。HCIは、使用中に動作速度が徐々に遅くなるという経年変化現象を起こすものであり、実際の使用環境でのLSI高信頼化の観点から留意する必要がある。
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