「次世代エレクトロニクスの基幹材料」（韓国Samsung Electronics Co., Ltd.のディスプレイ部門の幹部）と，世界のディスプレイ技術者が注目するのが酸化物半導体TFTである。超高精細の液晶パネルや有機ELパネル，電子ペーパー。こうした次世代ディスプレイを駆動するTFT材料の最有力候補の一つだからだ。早ければ2012～2013年までに実用化が始まるとされ，将来は，“フレキシブル”や“透明”といった特徴を備える電子デバイスの実現手段にもなりそうだ。
酸化物半導体は，通常は絶縁体になりやすい酸化物でありながら，半導体の性質を持つ。いくつかの種類の中で特に注目度の高いのが「透明アモルファス酸化物半導体（TAOS：transparent amorphous oxide semiconductors）」である。アモルファスIGZO（In-Ga-Zn-O）が代表例である。Samsung社や韓国LG Display Co., Ltd.といった韓国勢のほか，日本ではシャープや凸版印刷，キヤノンなどがTFTへの応用開発に注力している。
TAOS系TFTは，キャリア移動度が10cm2/Vs以上と高く，特性バラつきも小さい。そのため，画素数「4K×2K」（4000×2000画素級），駆動周波数が240Hzといった次世代の高精細液晶ディスプレイを駆動できる。現行の標準技術であるアモルファスSi系TFTや，次世代技術として開発が盛んな有機半導体TFTは，キャリア移動度が数cm2/Vs以下と低いため，こうした用途には対応しにくい。有機ELディスプレイでも，開発事例が多い低温多結晶Si系TFTに比べて，大画面化ではTAOS系TFTが有利である。有機ELパネルで問題となる，TFTの特性バラつきによる表示ムラを抑えられるからだ。TAOS膜はスパッタ法で形成できるため，製造コストも下げやすい。
製造プロセス温度を室温近くまで下げられる点も，TAOS系TFTの大きな魅力である。耐熱性に乏しい樹脂基板を利用できることから，折り曲げられる電子ペーパーなど，フレキシブルなディスプレイを実現できる。TAOS膜が備える透明性を生かせば，電子デバイスを透明化するような使い方も可能だ。
酸化物半導体の用途をさらに広げる上で課題となるのが，p型半導体の実現である。高品質のpn接合を作製できるようになれば，透明でフレキシブルな集積回路やLED，太陽電池などの応用が見えてくる。
