ドライ・エッチングでは，CF4やXeF2を分解して生成したFラジカルを使うと，Siの等方性エッチングができる。
ドライ・エッチングの等方性エッチングは，プラズマや反応性ガスを使って行う。プラズマ・エッチングの場合は，例えばCF4のガスからFラジカルを作り，Si基板をエッチングする（図1）。
プラズマを使わずに， XeF2のような反応性ガスを使っても等方性エッチングはできる。 XeF2が分解してFラジカルができ，Siと反応してSiF4を作り，それが蒸発していく。
XeF2によるSiのエッチングは，SiO2やフォトレジスト，Al，Crなどのマスクに対して選択性が1000以上と非常に高い。Si3N4（窒化シリコン）に対してもかなり高い選択性がある。Ti，Nb，Moなどに関しては選択性が悪く，W，Ir，Au，Ag，Taなどはエッチングされてしまう。
XeF2以外にもSiのガス・エッチングに使える材料として，ClF3，BrF3，F2などが報告されている。
図2は，XeF2の等方性エッチングで作った振動ジャイロの例である。重りをSiのバネで支えて，横方向に静電引力で振動させる。センサーが回転すると，コリオリの力で上下の振動成分が出てくるので，それを静電容量の変化として検出する。
このバネの幅と厚さをコントロールして，共振周波数を制御するのが課題だった。プロセスとしては，まずSi3N4をマスクにしてRIE（反応性イオン・エッチング）で打ち抜き，選択酸化する。Si3N4の所は酸化されず側面だけが酸化される。LSIの素子分離に使われるLOCOSというプロセスと同じである。次に，上下のSi3N4を取ってXeF2でエッチングして，ある厚さになったら止める。そこで側面のSiO2を取ると，Siのバネの幅と厚さがコントロールできる。
