不純物濃度依存性選択エッチングの一種で，アスペクト比の大きい溝をウエットのバッチ・プロセスで安価に作ることができる。
不純物濃度依存性選択エッチングにおいて，n型ではホールが少ないので，陽極酸化されずにエッチングされないと説明したが，n型層も光を当てるとホールが発生するので，このホールで表面を陽極酸化させ，HFでエッチングすることが可能である。
図1のように，結晶異方性エッチングでV型の溝を作っておき，反対側から光を当てると，発生したホールが電界の集中した穴の底に集まり，ここに陽極酸化膜を作る。従って，この穴の底の部分だけが選択的にエッチングされ，アスペクト比の大きな穴が垂直に開いていく。これをマクロポーラスSiと呼んでいる。
図1 マクロポーラスSiの製造プロセス
アスペクト比が大きい構造を作るには，通常，ドライ・プロセスのDeep RIE技術を使う。しかし，製造装置が高価でスループットも悪く，デバイス1個当たりの製造コストが高くついてしまう。マクロポーラスSiをうまく使えば，ウエットのバッチ・プロセスで安く作ることが可能である。まず，マクロポーラスSiで高アスペクト比の穴を開けて，あとは横をエッチングすればよい（図2）。
図2 マクロポーラスSiによる高アスペクト構造の製作
