Siの結晶面によるエッチング速度の違いを利用することで，V字型の溝や台形のくぼみなどさまざまな形状が作れる。
Siの結晶はダイヤモンド構造をしており，結晶内部のSi原子はそれぞれ4本のボンドで共有結合している。ただし表面のSi原子は，結晶面によって結合の仕方が異なる。例えば（100）面では，4本のボンドのうち2本が切れて2本でつながっている。面は3本のボンドでつながっていて，1本だけ切れている。このため，（111）面の方が（100）面よりエッチングされにくい（エッチング速度が遅い）。
この違いを利用するのが，Siの結晶異方性エッチングである。図1は，Siを（100）面からエッチングしたとき（図1の（a）（b）（c））と，（110）面からエッチングしたとき（図1の（d）（e）（f））の形状の違いを示している。エッチングが進むに従って，エッチングされにくい（111）面が現れて，さまざまな形状ができる。
図2は，結晶異方性エッチングを利用して作った個別細胞融合セルというMEMSデバイスである。V字型のセルが並んでいて，このセルの中に細胞を入れ，電流を流して細胞膜を壊し融合させる。右の写真にあるように適当な形のマスクを使っても，エッチングで（111）面が現れるので，自動的にきれいなパターンが形成される。
（110）面のウエーハを使うと，垂直の深い溝を作ることができる。これは，面が垂直方（111）向にあるからである。ただし，図1（d）でも分かるように，垂直の面同士の角度は70度になる。また，この三角形の底面に斜めの（111）面が現れる。もし，こうした面を取り除きたいときは，上からYAGレーザーを当てるような手法を使う（図1（f））。
Siの結晶異方性エッチングは，アルカリ性の液でエッチングをする。代表的なものは，KOH（水酸化カリウム），TMAH（テトラメチルアンモニアハイドロオキサイド），EDP（エチレンジアミンピロカテコール），N2H4・H2O（水和ヒドラジン）などである。それぞれメリット，デメリットがあり，目的に応じて使い分ける。
