結晶異方性エッチング
ケッショウイホウセイエッチング
Siの結晶面によるエッチング速度の違いを利用することで,V字型の溝や台形のくぼみなどさまざまな形状が作れる。
Siの結晶はダイヤモンド構造をしており,結晶内部のSi原子はそれぞれ4本のボンドで共有結合している。ただし表面のSi原子は,結晶面によって結合の仕方が異なる。例えば(100)面では,4本のボンドのうち2本が切れて2本でつながっている。面は3本のボンドでつながっていて,1本だけ切れている。このため,(111)面の方が(100)面よりエッチングされにくい(エッチング速度が遅い)。
この違いを利用するのが,Siの結晶異方性エッチングである。図1は,Siを(100)面からエッチングしたとき(図1の(a)(b)(c))と,(110)面からエッチングしたとき(図1の(d)(e)(f))の形状の違いを示している。エッチングが進むに従って,エッチングされにくい(111)面が現れて,さまざまな形状ができる。

図2は,結晶異方性エッチングを利用して作った個別細胞融合セルというMEMSデバイスである。V字型のセルが並んでいて,このセルの中に細胞を入れ,電流を流して細胞膜を壊し融合させる。右の写真にあるように適当な形のマスクを使っても,エッチングで(111)面が現れるので,自動的にきれいなパターンが形成される。

(110)面のウエーハを使うと,垂直の深い溝を作ることができる。これは,面が垂直方(111)向にあるからである。ただし,図1(d)でも分かるように,垂直の面同士の角度は70度になる。また,この三角形の底面に斜めの(111)面が現れる。もし,こうした面を取り除きたいときは,上からYAGレーザーを当てるような手法を使う(図1(f))。
Siの結晶異方性エッチングは,アルカリ性の液でエッチングをする。代表的なものは,KOH(水酸化カリウム),TMAH(テトラメチルアンモニアハイドロオキサイド),EDP(エチレンジアミンピロカテコール),N2H4・H2O(水和ヒドラジン)などである。それぞれメリット,デメリットがあり,目的に応じて使い分ける。
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