photomask

　Siウエハー上にLSIの回路配線を形成するための原版。フォトマスクの価格は，微細化の進展とともに高騰している。光の波長以下の微細な回路配線を形成するために，マスクにさまざまな工夫を加える手法が一般的になった結果，フォトマスクの構造が複雑化したためである。

　フォトマスクの価格を引き下げるため，いくつかの方法が提案されている。次世代露光技術の本命として注目されているのが，EUV（extreme ultra-violet）露光技術など，露光に使う光の波長を短くし，マスク構造を単純にすることで総合的にコストを下げるという考え方である。このほか，マスクを使わずに電子ビームでウエハー上に直接回路を描画するマスクレス露光技術も，マスクのコスト増を抜本的に解決する手法として注目されている。