16GビットNAND

　2005年9月，韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が，16GビットNAND型フラッシュ・メモリーを発表した（Tech-On！の関連記事）。1999年以降，毎年「1年で2倍」の大容量化を6年間連続して実践してきたことになる（図1）。

　東芝も2006年度上期の16Gビット品の量産をすでに表明しており，NAND型は「16Gビット時代」を迎えることになる。このような大容量化によって，NAND型の応用範囲は，既存の音楽プレーヤや携帯電話機から一層広がり，携帯型パソコン（PC）の「タブレット型PCで使われるようになる」とSamsungでは期待している。同社は，将来的にはノートPCのHDD（ハード・ディスク装置）の置き換えも狙っている。

新型トランジスタを採用へ

　Samsungが開発したNAND型は，50nmプロセスを使う。このプロセスに対応するため，同社は非プレーナ型の新構造トランジスタを採用する計画である。具体的には「『MBCFET（Multi-Bridge-Channel MOSFET）』やフィンFET」（同社）という。どちらの技術を採用するのかは現時点では不明である。Samsungは，このMBCFETやフィンFETの研究成果を既に「2005 Symposium on VLSI Technology」などの学会で発表済みである。ただし，この技術をそのままNAND型の製品に搭載するのではなく，学会発表技術の「改良版」（同社）を製品に採用するとしている。こうした3次元構造は，セルの小面積化，漏れ電流削減による低消費電力化に貢献する。

　なお東芝は同じ16Gビット品でも，設計ルールは55nmとSamsungに比べて緩やかであり，非プレーナ型を採用するとは，公言していない。これは，同じセル面積で2倍の大容量化が可能な2ビット/セルのMLC（multi level cell）技術を採用するからである。Samsungは，従来通り1ビット/セルのSLC（single level cell）技術を採用すると見られる。

　50nm プロセスでの量産向け露光技術に関してSamsungは「決めていない」（同社）とする。液浸ArF技術に対して同社には，「露光時のプロセス工程数が非常に多くなる」との懸念があり，これが露光技術を決めていない一因である。