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Siフォトニクス
シリコンフォトニクス
Si基板上に光素子を形成する技術。従来は光素子の材料にGaAsやInPといった化合物半導体を用いていたが,Si系材料を使えば製造コストを安価にできる。CMOS技術でLSIに光素子を集積することで,例えばチップ間のデータ伝送のために光配線を用意して,データ転送速度を高めたり,配線遅延を抑えたりする効果が期待できる。
Siフォトニクスを実現するには,10GHz以上の周波数で動作する受光素子,発光素子,光変調器,光導波路をSi系材料で作る必要がある。このうち,実現が最も難しいとされるのが発光素子である。このためSiフォトニクスの最初の用途は,発光素子が必要ないクロック分配になりそうだ。受光素子をLSI中に形成して,チップの外部からSi導波路を通して光を提供すれば済むためである。将来,発光素子の開発が進めば,LSIの内部配線にも光伝送を使える可能性がある。
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