CIGS太陽電池

　非Si系の半導体材料である「Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂（銅-インジウム-ガリウム-セレン）」系の材料を使った太陽電池。

　IGS太陽電池の大きな特徴は2つある。1つは，発電層の厚さを数μmと薄くできること。これにより，材料コストを低く抑えることができるほか，製造時の投入エネルギーも節約できる。発電層を薄くできるのは，CIGS系材料の光吸収率が極めて高いことに加え，発電層を蒸着やスパッタなどの積層法で形成できるためだ。

　もう1つの特徴は，理論的な発電効率が25〜30％と高く，単結晶Siを上回ることである。CIGS系半導体には，厚み方向で組成を変えることで，吸収波長域を制御できる性質がある。組成を工夫して吸収波長域を広げることで，発電効率を高めることができる。

　このほかCIGS太陽電池は，Si太陽電池と比べて光や放射線により劣化しにくいとされる。製品寿命を伸ばせるほか，宇宙での利用にも適している。

図　ホンダエンジニアリングが製造したCIGS太陽電池。モジュール変換効率は約12％ （日経エレクトロニクス2006年1月16日号より抜粋）

• ホンダが太陽電池に参入，2007年に年産27.5MW（2006年1月16日号のWhat's New）
• 太陽電池を板状から球状へ，Si使用量が1/5に（2006年1月2日号のWhat's New）
• 起動する家庭発電（2005年7月18日号のCover Story）