tunneling magnetoresistive head

　強磁性トンネル接合において発生する巨大磁気抵抗効果を利用するTMR素子を磁気信号の読み取りに用いるヘッド。具体的には，自由層と固定層の間に極めて薄いトンネル・バリアを挟む構造を採る。こうした構造においては，強磁性膜の磁化の向きに応じて膜厚方向の抵抗値が大きく変化する「TMR効果」と呼ぶ現象が起こる。これを磁気信号の検出に利用する。

　磁気抵抗変化は，MRヘッドで約2％～3％，スピンバルブ型GMRヘッドで約7％～8％であるのに対して，TMRヘッドだと約20％～50％と大きい。