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NEアカデミー

SiC/GaNデバイスによる高周波スイッチングの可能性

~単純な置き換えだけでは効率が上がらない、パワーデバイスの現状~

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お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

SiC/GaNデバイスが相次いで市販され、アプリケーションへの適用も進んできました。その一方で、"必ずしも高周波スイッチングでは、効率が上がらない"ことが、最近になって見えてきました。

これまで、高周波スイッチングによるシステムの小型化は、SiC/GaNデバイスがもたらす最大のメリットとしてうたわれてきましたが、パワーデバイスをSiC/GaNへ単純に置き換えただけでは、そのメリットを得ることは難しいようです。

NEアカデミーでは、SiC/GaNデバイスによる数100kHzスイッチング・インバータなどの構造と諸特性を例示して、SiC/GaNデバイスによる高周波スイッチングの可能性について、わかりやすく解説します。

概要

日時:2014年06月27日(金)13:00~17:00(開場12:30)予定
会場:化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格54,000円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格43,200円
  • 一般価格には「日経エレクトロニクスDigital版セット購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
  • 日経エレクトロニクス(雑誌、Digital版、Digital版セット)定期購読者は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
  • 日経エレクトロニクスPremium定期購読者は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。
  • ※一般価格に含む「日経エレクトロニクスDigital版セット購読」を登録させていただく方には、NEニュースを配信設定いたします。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

講師紹介

齊藤 真 氏 (さいとう まこと)

芝浦工業大学 工学部 電気工学科 講師

2002年 東京都立大学大学院 工学研究科博士課程修了、2007年から現職。一貫して、パワー・エレクトロニクス回路の研究開発に従事。企業などからの受託案件を中心に、インバータ回路などの新規考案、設計、試作および評価を年間20件以上行っている。

プログラム詳細

13:00 - 17:00

(1) SiC/GaNFETによる、500kHz級三相PWMインバータの諸特性

5kW級三相PWMインバータを例として、スイッチング周波数を100~500kHzに設定した場合の回路構成、効率特性、EMIノイズ特性、内蔵されるリアクトルの特性などを、従来の5-20kHzスイッチング時の特性と比較しながら、「高周波化により、何がどのように変化するのか」を解説します。

(2) SiC/GaNFETによる、500kHz級単相PFCコンバータの諸特性

ワールドワイド入力500W級インターリーブ方式単相PFCコンバータを例として、スイッチング周波数を100~500kHzに設定した場合の回路構成と諸特性を示しながら、「小容量アプリケーション」での高周波スイッチングのメリット、デメリットを解説します。

  • ※途中、午後の小休憩が入ります。
  • ※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

■受講料のお支払い:
お支払い方法が「請求書」の方には、後日、受講券・請求書をご郵送いたします。
ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお、振込手数料はお客様のご負担となりますので、あらかじめご了承ください。
「クレジットカード支払」の方には、受講券のみをお送りいたします。
■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。
■最少開催人員:
15名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

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