セミナー/イベント
NEアカデミー

先端エッチング技術を基礎から学ぶ2日間、現場の問題を解決!

大気圧プラズマ発生装置を使ったデモ付き

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お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

エッチング技術は、ULSI、パワーデバイスからマイクロマシン・バイオに至る、デバイスプロセスの基幹技術です。

半導体デバイスの集積化が進むにつれて、微細化や大口径化に対応し、均一でかつ高速に10以上の高アスペクト比やダメージフリーで加工する技術が要求されています。

最近は、低誘電率膜、磁性体などの新材料、MEMSやウエハの実装等に関する、新しい構造に対応したエッチング技術が展開されています。また、プラズマレスエッチングやGaNなどの化合物半導体のエッチング、さらに大気圧非平衡プラズマが開発され、新しい応用分野が開拓されています。

NEアカデミーでは、2日間にわたり、半導体プロセスを中心としたエッチング技術の基礎から応用、最新技術とその展開をわかりやすく解説し、これからの技術課題についてまとめます。また、例題を挙げて、エッチングの物理・化学および装置設計に対する考え方を説明することにより、エッチング技術を効率的かつ完全に理解できるようにします。

さらに今回は、最近注目を集めている大気圧プラズマによる処理技術について、デモ機を用いた実演を行い、プラズマ・エッチングへの理解を深めます。

概要

日時:2014年03月10日(月)、11日(火)
10:00~17:00(開場09:30)予定
会場:化学会館 5F(東京・御茶ノ水)
主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格89,200円
  • 日経エレクトロニクス読者価格79,000円
  • 一般価格には「日経エレクトロニクスDigital版セット購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
  • 日経エレクトロニクス(雑誌、Digital版、Digital版セット)定期購読者は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
  • 日経エレクトロニクスPremium定期購読者は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。
  • ※受講料には、昼食は含まれておりません。
  • ※一般価格に含む「日経エレクトロニクスDigital版セット購読」を登録させていただく方には、NEニュースを配信設定いたします。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

講師紹介

堀 勝 氏 (ほり まさる)

名古屋大学大学院 電子情報システム専攻 集積プロセス講座ナノプロセスグループ 教授

1986年 名古屋大学大学院 工学研究科電子工学専攻博士後期課程修了、工学博士
1986年~1992年 東芝 総合研究所超LSI研究所、ULSI研究所
1992年~ 名古屋大学 助手、現在に至る。
1997年 英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所 客員研究員
現在、名古屋産業科学研究所 非常勤所員、筑波大学 非常勤講師、NUエコ・エンジニアリング 技術顧問、九州大学 非常勤講師、日本学術会議 連携委員、中国科学院研究生院 非常勤講師を兼務。
主な研究テーマは、次世代ULSI微細加工・薄膜ナノプロセスに関する研究、量子光学技術による原子・分子・ラジカル計測に関する研究、ラジカル制御によるカーボンナノウォールの創成とデバイス応用、微結晶シリコン薄膜の低温形成と太陽電池、フレキシブルデバイスへの応用、自律型ナノ製造装置の開発、プラズマ医療及び生命科学への応用

プログラム詳細

1日目 ― 3月10日(月)

10:00 - 17:00

1. 先端材料プロセスにおけるエッチング技術

トップダウン技術とボトムアップ技術/ ULSIにおける微細化スケーリング則とパワーデバイス等の展開に伴う新材料のエッチング

2. エッチング反応機構(気相および表面反応)

物理および化学スパッタエッチング/ ケミカルドライエッチング/ 反応性イオンアシストエッチング/ ダメージ誘起エッチング/ 選択エッチングのための物理化学と考え方/ 形状制御のための物理化学と考え方/ 高速エッチングのための物理化学と考え方/ 電子温度とその制御法/ イオン・ラジカルの制御方法と粒子バランス

3. エッチング・リアクタの構造、励起周波数と特徴

エッチング・リアクタの構造と特徴[リアクタへの要求/ 低圧高密度プラズマ・プロセスのためのリアクタ/ プラズマ・エッチング装置の種類とその基本原理/ 高密度プラズマ源/ 励起周波数の効果/ 粒子加熱機構]

4. エッチング・プラズマの計測技術の基礎と最前線

プローブ法/ 発光分光法/ 赤外半導体レーザー吸収分光法/ レーザー誘起蛍光法/ 真空紫外・紫外・可視吸収分光法/ 出現質量分析法/ レーザー脱離法/ マイクロ波干渉計/ 電子付着型質量分析法/ イオン付着型質量分析法/ レーザートムソン散乱法

5. 難エッチング材料・強誘電体のエッチング

ゲート電極エッチング/ 高精度形状制御プロセス(CD制御)/ Ptエッチング/ BSTエッチング/ 不揮発性生成物材料/ MRAM(磁性体)エッチング

6. 高アスペクト比のエッチング

高アスペクトSiO2選択エッチング/ SACエッチング・プロセス/ マイクロローディング・プロセス/SiN選択エッチング

7. 絶縁膜のエッチング

高集積化・微細化の動向/ ULSI多層配線構造図/ 高集積・微細化の問題点/ Low- k膜の必要性/ 低誘電率(Low-K)層間絶縁膜の特徴/ 低誘電率材料の開発トレンド
1)有機Low-k膜[エッチング速度/ エッチング形状/ エッチング特性を決定しているプラズマ・パラメーター/ エッチング表面反応]
2)SiOCH膜[エッチング特性を決定している因子/ 高精度エッチング制御技術/デュアルダマシンとそのエッチング/ 多層レジストプロセス]

8.メタルのエッチング

AIエッチング/ Wエッチング/ 多層配線エッチング・プロセス

9. 有機物のアッシング、ダウンフローエッチング

高速レジストアッシング/ ケミカルドライエッチング/ Low-kアシングダメージ

2日目 ― 3月11日(火)

10:00 - 17:00

10. エッチング・プロセスダメージとその評価技術

チャージアップダメージ/ 電子シェーディング機構/ コンタミネーションダメー ジ/ 新しいダメージ評価法

11. GaNパワーデバイス、実装プロセス、およびMEMSにおけるエッチング技術

高速・高アスペクト比エッチング(ボッシュ法)/ 3次元加工プロセス/ ウエハ加工/ 平坦化プロセス/ GaNエッチング

12. 大気圧プラズマを用いた、新しいエッチング技術

材料プロセスに向けた、非平衡大気圧プラズマの基礎と装置/ 大気圧プラズマの計測/ SiO2超高速超高選択比エッチング・プロセス/ 有機膜超高速エッチング・プロセス/ コンパクトマイクロ波励起非平衡大気プラズマ/バイオプロセスへの応用/ 環境・医療プロセスへの応用

13. 新しいエッチング・プロセス技術

パルス変調プロセス/ デジタルプロセス/ 高速中性粒子エッチング/ NO/F2プラズマフリーエッチング/ 環境調和型エッチング/ 自律型エッチング制御システム

14. まとめと今後の展望

先端ナノエッチング・プロセス技術とグリーンエッチング・プロセスへの展望/エッチング加工限界とそのブレークスルー

15. 大気圧プラズマのデモと実機を用いたティーチング、Q&A

  • ※途中、昼休憩と午後の小休憩が入ります。
  • ※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

■受講料のお支払い:
お支払い方法が「請求書」の方には、後日、受講券・請求書をご郵送いたします。
ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお、振込手数料はお客様のご負担となりますので、あらかじめご了承ください。
「クレジットカード支払」の方には、受講券のみをお送りいたします。
■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。
■最少開催人員:
15名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

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