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SCRセミナー

半導体メジャーが語る、モバイル&クラウド時代の技術戦略

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パソコン市場の低迷が続く中、スマートフォンやタブレット端末に代表されるモバイル機器の市場成長はとどまるところを知りません。今後、これらの機器の市場は新興国へと広がり、爆発的な需要が見込まれています。これに伴って、モバイル通信を支えるデータセンターなどのインフラ(クラウド)の市場も急拡大中です。今後、半導体の市場成長や技術進化は、モバイルそしてクラウドが牽引することになるでしょう。

本セミナーでは、米Intel社や台湾TSMCなど大手半導体メーカーやコンソーシアムの技術開発担当者が、FinFETや450mmウエハー、2.5次元/3次元LSIといった、モバイル&クラウド時代を支える基盤技術の展望と取り組みを語ります。

概要

日時:2013年09月11日(水)10:00~16:50(開場09:30)予定
会場:コクヨホール(東京・品川)
主催:日経BP半導体リサーチ(SCR)

受講料(税込み)

  • 一般価格49,800円
  • 日経BP半導体リサーチ会員価格24,900円
  • 日経エレクトロニクスPremium読者価格24,900円
  • ※日経BP半導体リサーチProfessionalプラン、Enterpriseプランをご契約の方には、別途ご案内いたします。
  • ※受講料には、昼食は含まれておりません。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

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プログラム詳細

10:00 - 10:50

A 22nm High Performance Embedded DRAM SoC Technology Featuring Tri-gate Transistors and MIMCAP COB

米Intel社
Principal Engineer, LTD Advanced Design

Eric Wang 氏

低リーク電流のトライゲート型アクセス・トランジスタと3次元MIM(metal-insulator-metal)キャパシタから成る混載DRAMを、22nm世代のトライゲート・バルクCMOSプロセスに集積した。 メモリ・セル面積0.029mm2、アレイ密度17.5Mビット/mm2の128MビットDRAMマクロを作成し、95℃で100μsを上回るデータ保持時間を確認した。同DRAMでは、超low-k(ultra low-k)層間絶縁膜と第2メタル配線層(M2)から第4メタル配線層(M4)にわたって、高アスペクト比の3次元MIMキャパシタ用トレンチを形成している。高い製造歩留まりを実証できており、既に量産に入った。

名刺交換、休憩(10:50 - 11:00)

11:00 - 11:50

Nanowire Transistor Technology

台湾TSMC
Director, TCAD division

Jean Pierre Colinge 氏

チャネル静電界の制御性を高められるFinFETやトライゲートFETでは、Mooreの法則をゲート長15~20nmの領域まで延命させることができる。これ以上のスケーリングにはチャネル制御性のさらなる改善が必要であり、その手段となるのがマルチゲート構造のナノワイヤ・デバイスである。ナノワイヤ・デバイスでは、ゲート長5nmまたは3nmまでのスケーラビリティが実験と理論の両面から実証されている。こうした寸法のデバイスでは、チャネルの量子閉じ込め効果が顕在化し、コンダクタンスの振動やソフト・バリアを介したトンネル現象などが観測されるようになる。ナノワイヤFETには垂直チャネルまたは水平チャネルという2種類の構造があり、それぞれに長所と短所がある。講演では、以上のような内容について事例に即して紹介したい。

名刺交換、休憩(11:50 - 12:00)

12:00 - 12:30

Scaling to the end and beyond

ITRS
Chirman

Paolo Gargini 氏

半導体業界では1990年代末まで、物理寸法を縮小するという方法でトランジスタをより小さく、安く、速くすることに成功してきた。その後、物理的スケーリングを引き継いだのが、等価的スケーリング(equivalent scaling)と呼ばれる手法である。初期のトランジスタ材料のうちのいくつかは、新しい機能を持つ材料に置き換えられ、トランジスタの構造は大きく変化した。ITRSでは、2020年代半ばにはトランジスタの加工寸法が数nmに達すると予測している。しかし、根源的な物理限界や経済性のデメリットから、トランジスタのスケーリングはその時点で終焉を迎えるだろう。今こそスケーリング限界後を見据え、半導体産業の新しい時代に向けた技術基盤を用意すべきときだ。

名刺交換(12:30 - 12:40)

昼休憩(12:40 - 13:50)

13:50 - 14:40

Leading the Industry Transition to 450MM wafers

Global 450mm Consortium (G450C)
General Manager

Paul Farrar 氏

本講演では、ニューヨーク市長のAndrew Cuomo氏によって発表された、CNSE(College of Nanoscale Science and Engineering)と大手半導体メーカー5社(米Intel社、台湾TSMC、韓国Samsung、米IBM社、 米GLOBALFOUNDRIES社)から成る官民のパートナーシップが、450mmウエハーへの移行をどのような形で牽引しているかをお話したい。移行の進捗状況に加えて、装置メーカーとの協業の中身や鍵となる開発のマイルストーンについて述べる。ノッチレス・ウエハーや装置の標準化などへの取り組みにも触れたい。

名刺交換、休憩(14:40 - 14:50)

14:50 - 15:40

3D NAND Flash Technology Trend

韓国SK Hynix社
Senior Research Fellow, Research & Development Division, Flash Device Technology Group

有留 誠一 氏

NANDフラッシュ・メモリは、2次元(2D)セルから3次元(3D)セルへの技術の大転換期を迎えている。現在量産中の2Dセルは、2013年第4四半期から16nm世代の量産が立ち上がる。その先は、いよいよスケーリング限界に近づいてくる。どの世代から3Dセルに移行するか、どのような3Dセルを使うかが焦点である。講演では、2Dセルから3Dセルへの技術トレンド、3Dセルのキー技術、および将来の3Dセル技術について述べる。

名刺交換、休憩(15:40 - 15:50)

15:50 - 16:40

Hybrid Memory Cube: Your New Standard for Memory Performance

マイクロン ジャパン
DRAMソリューショングループ 技術部長

朝倉 善智 氏

Micron社は2013年後半に「Hybrid Memory Cube(HMC)」の最初のサンプルを出荷する。これによってメモリ業界は劇的な変化を受ける。Yole Développement社のリサーチ・アナリストによれば、HMCをはじめとするTSV対応デバイスの市場規模は、2017年までにグローバル・チップ市場の10%に相当する約400億米ドルを占めるようになる。前例のない帯域幅やエネルギー効率、TCOの削減を実現するHMCは、メモリ-CPU間の速度ギャップが増大する“メモリ・ウォール”の問題を解決する。本講演では、HMCの機能や利点、将来のアプリケーションに加え、ツールやエコシステム、市場参入戦略に焦点を当てる。

名刺交換(16:40 - 16:50)

  • ※講演には、同時通訳(英語⇔日本語)が付きます。
  • ※講演内容等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。予めご了承ください。

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