日経テクノロジーオンライン

パワコンからLLCコンバータまで、次世代電力変換器の設計の勘所とは

~GaNやSiCの登場でEMC対策などの設計方法が変わる~

2013/04/09 14:21

お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

太陽光発電システムで用いるパワー・コンディショナ(パワコン)やLLCコンバータといった、高出力電力変換器の市場が今後さらに拡大する見込みです。それに伴い、開発競争も加速しています。

そこで本講演では、パワエレ機器分野のエキスパートである芝浦工業大学 講師の齋藤 真氏に、パワコンやLLCコンバータなどの高出力電力変換器に対するEMC対策を中心に、その設計の勘所について、解説していただきます。

高出力電力変換器では、高効率化が強く求められています。その切り札としてSiCやGaNのパワー素子に注目が集まっています。SiCやGaNのパワーデバイスを適用することで、EMC対策はもちろん、実装技術やゲート・ドライブ技術の改善、受動部品の選定などが電力変換器の開発の成否を左右します。これ らについて、その勘所を解説していただきます。

概要

日時:2013年06月13日(木)13:00~17:00(開場12:30)予定
会場:化学会館 7F (東京・お茶の水)
主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格49,800円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格41,800円
  • 一般価格には「日経エレクトロニクスDigital版セット購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
  • 日経エレクトロニクス(雑誌、Digital版、Digital版セット)定期購読者は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
  • 日経エレクトロニクスPremium定期購読者は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。
  • ※受講料には、昼食は含まれておりません。
  • ※一般価格に含む日経エレクトロニクス購読をご登録させていただく方には、NEニュース配信を設定いたします。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

講師紹介

齋藤 真 氏

芝浦工業大学 工学部 電気工学科 講師

2002年東京都立大学大学院 工学研究科 博士課程修了し、2007年から現職。一貫して、パワー・エレクトロニクス回路の研究開発に従事する。企業などからの受託案件を中心に、インバータ回路などの新規考案、設計、試作および評価を年間20件以上行っている。

プログラム詳細

高出力電力変換器のEMC対策の基礎

高出力電力変換器の設計で問題になるのが、EMC対策である。産業用10kWパワコンやLLCコンバータなどの事例を基に、EMC対策の基本を解説する。

GaNやSiCが電力変換器にもたらす利点とは

現在はSiデバイスが主流だが、SiCデバイスやGaNデバイスを電力変換器に適用した場合に、効率やノイズなどの電気的特性、寸法や重量などの物理的特性が、従来のSiデバイス適用品に比べて、どのように変わるのかを解説する。

GaN/SiCパワーデバイスを使いこなす

GaNやSiCのパワーデバイスを利用する上での留意点や、そのポテンシャルを引き出すための電源回路設計などについて解説する。カギを握るのは、EMC対策の他、実装技術やゲート・ドライブ技術、受動部品の選定などである。

  • ※途中、小休憩が入ります。
  • ※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

お申し込み受付は終了しました

※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

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お支払方法が「請求書」の方には、後日、受講券・請求書を郵送いたします。
ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお、振込手数料はお客様のご負担となりますのであらかじめご了承ください。
「クレジットカード支払」の方には、受講券のみお送りします。
■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。
■最少開催人員:
20名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。